计算题 在某一N型半导体电子浓度为1×10¹⁵cm^－3，电子迁移率为1000cm²/（V·s），求其电阻率。

在一个N型锗样品中，非平衡载流子浓度是1×1013cm－3，空穴寿命为100μs，计算空穴的复合率。 点击查看答案

光照产生的非平衡载流子的寿命为20μs，试求光照突然停止20μs后，非平衡载流子将衰减到原来的百分之几？ 点击查看答案