计算题 设空穴的浓度呈线性分布，在3μm内浓度差为1×10¹⁵cm^－3，迁移率为400cm²/（V·s），试计算室温下的空穴扩散电流密度j_h。

在某一N型半导体电子浓度为1×1015cm－3，电子迁移率为1000cm2 （V·s），求其电阻率。 点击查看答案

在一个N型锗样品中，非平衡载流子浓度是1×1013cm－3，空穴寿命为100μs，计算空穴的复合率。 点击查看答案