问答题

论述题
采用CF₄作为气体源对SiO₂进行刻蚀，在进气中分别加入O₂或H₂对刻蚀速率有什么影响？随着O₂或H₂进气量的增加，对Si和SiO₂刻蚀选择性怎样变化？为什么？

【参考答案】

加入少量的氧气能够提高Si和SiO₂的刻蚀速率。加入少量的氢气可以导致Si和SiO_{2......

(↓↓↓ 点击下方‘点击查看答案’看完整答案 ↓↓↓)}

<上一题目录下一题>

热门试题

问答题

根据原理分类，干法刻蚀分成几种？各有什么特点？

问答题

简述BOE（或BHF）刻蚀SiO2的原理。

论述题 采用CF4作为气体源对SiO2进行刻蚀，在进气中分别加入O2或H2对刻蚀速率有什么影响？随着O2或H2进气量的增加，对Si和SiO2刻蚀选择性怎样变化？为什么？