单项选择题

在超大规模集成电路工艺中，一般只采用（）。

A.负胶
B.正胶
C.光刻胶

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单项选择题
光刻要求晶圆片表面存在的图案与掩膜版上的图形对准，此特性指标称为（）。

A.套准精度
B.特征尺寸
C.分辨率
D.工艺宽容度
单项选择题
晶圆加工的基本流程顺序为（）。（1）切片（2）外形整理（3）研磨（4）倒角（5）清洗（6）抛光

A.（1）（2）（3）（4）（5）（6）
B.（2）（1）（4）（3）（6）（5）
C.（1）（2）（4）（3）（5）（6）
D.（2）（1）（3）（4）（6）（5）
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