多项选择题

以下可以对SiC进行P型掺杂的元素是（）。

A.Al
B.N
C.P
D.B

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单项选择题
以下对于碳化硅性质描述错误的是（）。

A.可以用物理气相传输法制备SiC单晶
B.C面的氧化速率比Si面高很多
C.无论哪种生长方式，6H-SiC都最容易生长
D.一般用SiC体单晶或者蓝宝石作为衬底制备SiC薄膜
单项选择题
​以下对于氧化锌描述错误的是（）。

A.可用气相法或者水热法制备
B.是非常稳定的纤锌矿结构，耐高温高压
C.P型难得
D.本征为高阻半导体
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