单项选择题
A.可以用物理气相传输法制备SiC单晶B.C面的氧化速率比Si面高很多C.无论哪种生长方式，6H-SiC都最容易生长D.一般用SiC体单晶或者蓝宝石作为衬底制备SiC薄膜
A.可用气相法或者水热法制备B.是非常稳定的纤锌矿结构，耐高温高压C.P型难得D.本征为高阻半导体
A.原料比较稀少B.外延生长温度低C.发光效率高D.器件工作温度高