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【填空题】 晶体管的全部应用模式中，共有（）种放大倍数。

【填空题】 晶体管正常使用过程中，处于正偏的PN结是（）结，处于反偏的PN结是（...

【填空题】 “合金型晶体管”，“平面型晶体管”和“外延型晶体管”这三种晶体管...

【填空题】 双极型晶体管使用中，电流最大的极是（），电流最小的极是（）。

【填空题】 双极型晶体管内部有（）个极，（）个区，（）个PN结。

【填空题】 （）是最早实现提纯和完美晶体生长的半导体材料。

【填空题】 第一块集成电路发明于（）年。

【填空题】 1947年，（）等人制造了第一个晶体管。

【填空题】 半导体具有的负的温度系数的发现年份是（）年。

【填空题】 半导体的主要特征有（）（）（）和（）。

【判断题】 氧化铝（Al2O3）的介电常数一般低于氮化硅（Si3N4）的介电常数。

【判断题】 MOS管的阈值电压是漏源之间的导电沟道出现强反型时的最小栅极电压，...

【判断题】 半导体衬底材料与栅极材料之间的逸出功差变化范围较小。

【判断题】 绝缘层材料质量影响MOS管的阈值电压。

【判断题】 理想的MOS管其栅极电压只会落在绝缘层和半导体衬底表面层上，栅极分...

【判断题】 p型衬底材料的MOS管，其半导体的掺杂浓度增大，阈值电压随之增大。

【判断题】 栅极材料与半导体材料的功函数差会因半导体材料的掺杂浓度变化而变化。

【判断题】 n沟耗尽型MOS型场效应晶体管的阈值电压一定大于相应的n沟增强型MOS管...

【判断题】 MOS管的阈值电压与绝缘栅层的杂质浓度无关。

【判断题】 栅极材料和半导体衬底材料的功函数差会影响MOS管的阈值电压。

【判断题】 MOS型场效应晶体管的阈值电压与衬底材料的掺杂浓度是有关的。

【判断题】 MOS管阈值电压的单位是eV。

【判断题】 处于饱和工作区的n沟耗尽型MOS管，漏极将失去对沟道电流的控制能力。

【判断题】 MOS管可以分为4类型，其中p沟增强型MOS的载流子主要是电子。

【判断题】 MOS的输出特性曲线中，给定的漏源电压下漏源电流随着栅极电压的增大...

【判断题】 绝缘层材料的厚度会对MOS管的阈值电压产生影响。

【判断题】 MOS管的伏安特性曲线含义是漏源电压与漏源电流之间的关系曲线。

【判断题】 当p沟耗尽型MOS管处于饱和工作区时，漏极将失去对漏源电流的控制能力。

【判断题】 P型衬底的MOS管的伏安特性曲线可以分为可调电阻区，饱和区和击穿区。

【判断题】 理想的MOS管，栅极加上偏压之后，沟道表面将产生一定厚度的耗尽层。

【判断题】 处在饱和工作区的N型衬底材料MOS管，栅极将失去对漏源电流的控制作用。

【判断题】 实际的MOS管，绝缘层相当于一个电阻无限大的绝缘体，其中没有任何杂...

【判断题】 P沟增强型MOS管存在着一个栅极截止电压。

【判断题】 N沟增强型MOS管衬底材料是N型掺杂半导体。

【判断题】 MOS管的转移特性曲线指的是漏源电压与漏源电流之间的关系曲线。

【判断题】 N型衬底的MOS管的伏安特性曲线可以分为可调电阻区，饱和区和击穿区。

【判断题】 N沟耗尽型MOS管的工作载流子是空穴。

【判断题】 当MOS管处在饱和工作区时，导电沟道相当于一个零电阻的导体。

【判断题】 MOS的栅极加电压高于衬底电压称为正偏压。

【判断题】 处于线性工作区的MOS管，栅极电压将对电流不产生影响。

【判断题】 P沟增强型MOS管存在着一个栅极开启电压。

【判断题】 P型衬底材料的MOS管栅极加正向偏压时，沟道中产生空穴耗尽。

【判断题】 在场效应晶体管内部，正常工作时有两种载流子在起关键作用。

【判断题】 MESFET属于金属-半导体型场效应晶体管。

【判断题】 N沟增强型MOS场效应晶体管的工作载流子是电子和部分空穴。

【判断题】 MOS的输出特性曲线是漏源电压与漏源电流之间的关系曲线，当电压大于...

【判断题】 N沟耗尽型MOS的转移曲线中，电流随着电压绝对值的增加而增大。

【判断题】 可以用半导体材料的费米势的大小来衡量其杂质掺杂浓度高低。

【判断题】 功函数是真空能级与费米能级之间的波函数。

【判断题】 集成电路中最基本又最核心的器件是金属-绝缘体-半导体型场效应晶体...

【判断题】 当半导体的表面势略大于其费米势时，开始进入强反型状态。

【判断题】 一般的MOS管的输出特性曲线可以分为三个区，即可调电阻区、饱和工作...

【判断题】 所谓MOS管的正向偏置是指门极、源极和漏极都处于正电位，而衬底位于...

【判断题】 MOS型场效应晶体管是一种三端、三种材料、异质结型、一种载流子工作...

【判断题】 平带电压就是使材料达到理想平带状态所需要的外加电压，其大小与电子...

【判断题】 电子亲合力是真空能级与导带底的差值。

【多项选择题】 关于pn结空间电荷区的说法正确的有（）。

【多项选择题】 pn结正向偏置时，下列说法正确的有（）。

【多项选择题】 关于平衡状态的pn结，下列说法正确的有（）。

【多项选择题】 pn结反向偏置达到平衡时，下列说法正确的有（）。

【多项选择题】 pn结的制备方法有（）。

【多项选择题】 关于平衡pn结的能带的说法中，正确的有（）。

【多项选择题】 pn结反向偏置正常工作时（）。

【多项选择题】 关于pn结，正确的说法有（）。

【多项选择题】 下列仪器仪表中含有PN结的有哪些？（）

【多项选择题】 平衡pn结的特征在理论上有（）。

【多项选择题】 PN结正向偏置时，下列说法正确的是（）。

【多项选择题】 本征硅的载流子浓度说法中，哪些是正确的？（）

【多项选择题】 决定本征硅的载流子浓度的因素有（）。

【多项选择题】 关于费米能级的说法中，正确的有（）。

【多项选择题】 对于纯硅而言，进行施主型掺杂以后（）。

【多项选择题】 关于费米分布函数的说法，哪些是正确的？（）

【多项选择题】 绝对零度时，纯硅中（）。

【多项选择题】 关于硅中载流子激发的说法中，错误的有（）。

【多项选择题】 半导体中的载流子浓度会收到哪些因素的影响？（）

【多项选择题】 导带电子运动到价带后（）。

【多项选择题】 纯硅中掺杂一定浓度的硼元素之后（）。

【多项选择题】 半导体物理与器件课程的三大特点是（）。

【多项选择题】 半导体制造业大致可以分为（）两类。

【多项选择题】 半导体行业的摩尔定律是（）。

【单项选择题】 不适合使用无蓄电池的直流光伏发电系统的应用有（）。

【单项选择题】 以下是太阳能光伏发电的优点的是（）。

【单项选择题】 以下不是太阳能光伏发电的缺点的是（）。

【单项选择题】 平衡pn结的接触电压与下列哪些参数成线性正比？（）

【单项选择题】 关于平衡态pn结载流子浓度的说法中，正确的有（）。

【单项选择题】 关于单晶硅的本征载流子浓度的说法中，错误的有（）。

【单项选择题】 NPN型晶体管的以下频率参数中，哪个数值最大？（）

【单项选择题】 NPN型晶体管交流使用中，此时的工作频率与哪个频率参数对比可以用来...

【单项选择题】 NPN型晶体管在交流使用情况下，当交流信号的频率很低时，其电流放大...

【单项选择题】 晶体管交流应用时，所谓的小电流的含义是（）。

【单项选择题】 晶体管发生低击穿时，其击穿电压只有几个伏特，这种击穿属于（）。

【单项选择题】 NPN型晶体管共发射极应用时，其输出特性曲线向上倾斜，这是以下哪个...

【单项选择题】 NPN型晶体管共基极和共发射极应用时，关于输出特性曲线的说法中，错...

【单项选择题】 NPN型晶体管共基极应用时，当增大反向偏置PN结电压时，其直流输入特...

【单项选择题】 两个背靠背的PN结，达到以下哪个条件时，可以形成具有电流放大功能的...

【单项选择题】 对晶体管使用过程中的载流子形成及电流分析过程中，共有（）股微观小电流。

【单项选择题】 晶体管共基极应用时，其放大倍数是（）。

【单项选择题】 晶体管放大倍数最大时，其使用方式是（）。

【单项选择题】 晶体管共发射极应用时，其放大倍数是（）。

【单项选择题】 晶体管的最高震荡频率是指（）。