单项选择题
A.Wm< WsB.向沟道区掺入BC.衬源间施加负偏压D.增加SiO2层的厚度
A.半导体表面附近的空穴数量变化跟不上信号变化B.半导体表面附近的电子数量变化跟不上信号变化C.半导体发生了深耗尽D.半导体表面附近的电子不能产生
A.不利于抑制发射极电流集边效应，有利于抑制Early效应B.有利于抑制发射极电流集边效应和Early效应C.不利于抑制发射极电流集边效应和Early效应D.有利于抑制发射极电流集边效应，不利于抑制Early效应