单项选择题
离子注入与热扩散相比,哪个横向效应小()
A. 离子注入
B. 热扩散
点击查看答案
<上一题
目录
下一题>
热门
试题
单项选择题
二氧化硅膜能有效的对扩散杂质起掩蔽作用的基本条件有哪些() ①杂质在硅中的扩散系数大于在二氧化硅中的扩散系数 ②杂质在硅中的扩散系数小于在二氧化硅中的扩散系数 ③二氧化硅的厚度大于杂质在二氧化硅中的扩散深度 ④二氧化硅的厚度小于杂质在二氧化硅中的扩散深度
A.②④
B.①③
C.①④
D.②③
点击查看答案
单项选择题
在温度相同的情况下,制备相同厚度的氧化层,分别用干氧,湿氧和水汽氧化,哪个需要的时间最长?()
A.干氧
B.湿氧
C.水汽氧化
点击查看答案
相关试题
CE定律发展面临的问题包括()。
IC集成度和性能得以不断提高的理论基础是(...
芯片粘接的工艺过程包括()。
影响封装芯片特性的温度有()。
下面哪道工序主要是针对晶圆切割之后在显微...