多项选择题

‍CVD技术可以制备的薄膜有（）。

A.SiO2
B.单晶硅
C.BSG
D.Si3N4

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‌溅射方法从本质上可分为（）。

A.反应溅射
B.直流溅射
C.磁控溅射
D.射频溅射
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‏集成电路制造技术中，薄膜制备技术主要包括两大类（）。

A.薄膜生长技术
B.薄膜淀积技术
C.薄膜外延技术
D.薄膜堆叠技术
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