单项选择题

对于一定的n型半导体材料，温度一定时，减少掺杂浓度，将导致（）靠近Ei

A. Ec
B. Ev
C. Eg
D. E<sub>F</sub>

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单项选择题
在Si材料中掺入P，则引入的杂质能级（）。

A. 在禁带中线处
B. 靠近导带底
C. 靠近价带顶
D. 以上都不是
单项选择题
砷化稼的能带结构是（）能隙结构。

A. 直接
B. 间接
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