单项选择题

砷化稼的能带结构是()能隙结构。

A. 直接
B. 间接

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热门 试题

单项选择题
空穴是()。

A.带正电的质量为正的粒子
B.带正电的质量为正的准粒子
C.带正电的质量为负的准粒子
D.带负电的质量为负的准粒子

单项选择题
对于掺杂的硅材料,其电阻率与掺杂浓度和温度的关系如图所示,其中,AB段电阻率随温度升高而下降的原因是()

A. 杂质电离和电离杂质散射
B. 本征激发和晶格散射
C. 晶格散射
D. 本征激发

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