单项选择题

在晶体硅中掺入元素（）杂质后，能形成N型半导体。

A.锗
B.磷
C.硼
D.锡

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单项选择题
对于一定的n型半导体材料，温度一定时，减少掺杂浓度，将导致（）靠近Ei。

A.Ec
B.Ev
C.Eg
D.EF
单项选择题
MIS结构发生多子积累时，表面的导电类型与体材料的类型（）。

A.相同
B.不同
C.无关
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