单项选择题

对于一定的n型半导体材料，温度一定时，减少掺杂浓度，将导致（）靠近E_i。

A.E_c
B.E_v
C.E_g
D.E_F

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热门试题

单项选择题

MIS结构发生多子积累时，表面的导电类型与体材料的类型（）。

A.相同
B.不同
C.无关

单项选择题

在热平衡状态时，P型半导体中的电子浓度和空穴浓度的乘积为常数，它和（）有关

A.杂质浓度和温度
B.温度和禁带宽度
C.杂质浓度和禁带宽度
D.杂质类型和温度

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