单项选择题

NMOS源漏的掺杂类型分别为()

A.P+、P+
B.P+,N+
C.N+,N+
D.N+,P+

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热门 试题

单项选择题
NMOS是在()阱形成的()沟道的MOSFET晶体管。

A.P阱,P沟
B.P阱、N沟
C.N阱、N沟
D.N阱、P沟

单项选择题
在集成电路加工制造中,通常所指前道工艺为()

A.集成电路制造(晶圆加工)
B.集成电路封装
C.集成电路测试
D.集成电路设计

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