单项选择题

现代光刻工艺有10个步骤，其中4个是热处理步骤，下列哪个热处理顺序是正确的？（）

A.前烘、后烘、打底膜、坚膜
B.打底膜、前烘、后烘、坚膜
C.预烘、坚膜、前烘、后烘
D.打底膜、坚膜、前烘、后烘

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多项选择题
‌Si3N4薄膜的特性有（）。

A.针孔少
B.对底层金属可保形覆盖
C.介电常数较大
D.扩散掩蔽能力强
多项选择题
​Si3N4薄膜的用途有（）。

A.浅槽隔离的CMP停止层
B.最终钝化膜和机械保护膜
C.MOSFETs中的侧墙
D.选择性氧化的掩蔽膜
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