问答题
简答题 叙述H
2
还原SiCl
4
外延的原理,写出化学方程式。
【参考答案】
在气相外延生长过程中,首先是反应剂输运到衬底表面;接着是它在衬底便面发生反应释放出硅原子,硅原子按衬底晶向成核,长大成为......
(↓↓↓ 点击下方‘点击查看答案’看完整答案 ↓↓↓)
点击查看答案
<上一题
目录
下一题>
热门
试题
问答题
什么叫光刻?光刻工艺质量的基本要求是什么?
点击查看答案
问答题
集成电路封装有哪些作用?
点击查看答案
相关试题
表面钝化工艺是在半导体芯片表面复盖一层保...
金属剥离工艺是以具有一定图形的光致抗蚀剂...
在半导体集成电路中,各元器件都是制作在同...
光刻工艺要求掩膜版图形黑白区域之间的反差...
干法腐蚀清洁、干净、无脱胶现象、图形精度...