增加去耦电容可以抑制Ldi/dt效应，那么芯片内部去耦电容正确的放置方式是（）。

芯片中通常把电源线和地线布线成纵横交错的网格状，以降低IR drop，其原理是（）。

A.可以减小各处电路的电源/地线上的寄生电阻
B.可以减小流过电源/地线上的电流
C.可以使得芯片各处的电源/地线上的寄生电阻相等
D.增大导线的对地电容，滤除电压的波动

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下列情形中会使得存在电容串扰时受害信号线受到更大干扰的是（）。

A.耦合电容更大
B.干扰信号摆幅大
C.受害信号线是低阻抗节点（被低的驱动电阻驱动）
D.干扰信号翻转速度快

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