二氧化硅的制备方法很多，其中最常用的是高温（）、（）淀积、PECVD淀积。

离子注入杂质浓度分布中最重要的二个射程参数是（）和（）。 点击查看答案

外延层的迁移率低的因素有原材料纯度（）；反应室漏气；外延层的晶体（）；系统沾污等；载气纯度不够；外延层晶体缺陷多；生长工艺条件不适宜。 点击查看答案