源栅漏极引出用钨的原因是（）。

LSI制作时栅极的材料是（）。

A.单晶硅
B.多晶硅
C.氧化硅
D.氮化硅

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IC制造过程中要用到各种各样的薄膜作用错误的是（）。

A.绝缘膜，电气隔离作用的元件分离膜
B.降低电阻，如栅极上采用的硅化物膜
C.电气连接作用，如铝中添加微量铜的铝膜
D.LSI最上面的SiN膜是为了实现绝缘

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