传输管逻辑的噪声容限等于（）。

互补CMOS 2输入与非门和伪NMOS 2输入与非门相比，正确的表述是（）。

A.互补CMOS逻辑门的下降速度更快，静态功耗更高
B.互补CMOS逻辑的下降速度更快，静态功耗更低
C.伪NMOS逻辑的下降速度更快，静态功耗更高
D.伪NMOS逻辑的下降速度更快，静态功耗更低

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增加去耦电容可以抑制Ldi dt效应，那么芯片内部去耦电容正确的放置方式是（）。

A.在芯片当中的任一位置上放置一个电容
B.靠近大的驱动器的地方应该放置去耦电容
C.电源线下方应该放置去耦电容
D.尽量远离要稳定的电源电压的电路

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