单项选择题
氧化层中掺杂了硼杂质,一般称为()。
A.PSG
B.BPSG
C.BSG
D.FSG
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试题
单项选择题
如果制作栅氧结构,一般采用的方法是()。
A.湿氧氧化
B.氢氧合成
C.CVD
D.干氧氧化
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判断题
CMOS电路是通过有源区进行隔离的,属于绝缘介质隔离。
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