计算题 假设Si中空穴浓度是线性分布，在4μm内的浓度差为2×10¹⁶cm^-3，试计算空穴的扩散电流密度。

证明非简并的非均匀半导体中的电子电流形式为 点击查看答案

光均匀照射在6Ω·cm的n型Si样品上，电子-空穴对的产生率为4×1021cm-3s-1，样品寿命为8μs。试计算光照前后样品的电导率。 点击查看答案