简答题

证明非简并的非均匀半导体中的电子电流形式为

光均匀照射在6Ω·cm的n型Si样品上，电子-空穴对的产生率为4×1021cm-3s-1，样品寿命为8μs。试计算光照前后样品的电导率。 点击查看答案

间接复合效应与陷阱效应有何异同？ 点击查看答案