多项选择题

硅外延生长工艺包括()。

A.衬底制备
B.原位HCl腐蚀
C.生长温度,生长压力,生长速度
D.尾气的处理

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热门 试题

单项选择题
位错的形成原因是()。

A.位错就是由弹性形变造成的
B.位错就是由重力造成的
C.位错就是由范性形变造成的
D.以上答案都不对

单项选择题
下列晶体管结构中,在晶体管输出电流很大时常使用的是:()

A、单基极条图形
B、双基极条图形
C、基极和集电极引线孔都是马蹄形结构
D、梳状结构

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