多项选择题

‍以下哪些因素会降低MOSFET的饱和区漏极电流？（）

A.沟道长度增加
B.阈值电压提高
C.栅氧化层厚度减小
D.沟道宽度增加

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热门试题

多项选择题

‎防止基区穿通的措施是提高（）。

A.增大基区宽度
B.增大基区掺杂浓度
C.减小基区掺杂浓度
D.减小基区宽度

多项选择题

‍要提高均匀基区晶体管的电流放大系数的方法（）。

A.减小基区掺杂浓度
B.增大基区宽度
C.增大基区掺杂浓度
D.减小基区宽度

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