多项选择题

下面工艺参数变化会使得NMOS硅栅晶体管的阈值电压升高的有（）。

A.多晶硅和衬底半导体材料之间的功函数差的绝对值增大
B.栅极氧化层厚度变薄（单位面积的栅氧化层电容增大）
C.氧化层中的表面电荷（正电荷）减少
D.在沟道区人工注入p型杂质离子使得单位面积的电荷密度升高

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单项选择题

A.左，右
B.右，左
C.左，左
D.右，右

单项选择题

A.栅、源/漏区、源/漏区、衬底、NMOS
B.衬底、源/漏区、源/漏区、栅、PMOS
C.栅、源/漏区、源/漏区、衬底、PMOS
D.源/漏区、栅、衬底、源/漏区、NMOS