单项选择题
A.测定熔沸点B.观察外形C.进行X射线衍射分析D.比较硬度
A.扩散长度法、光磁电效应法B.电导率调制法、二极管开路电压衰减法C.光电导衰减法、表面光电压法D.二极管反向电流恢复时间法、MOS电容方法
A.在一般平衡条件下，P型半导体材料中，空穴是少数载流子B.少数载流子只存在于N型半导体材料中C.在热平衡条件下，由半导体材料的载流子种类和数量，由所处环境决定D.当外来作用消除后，非平衡少数载流子将通过各种途径复合而消失，并恢复到热平衡状态