单项选择题

以下不是II-VI族半导体的制备方法的是()。

A.升华法
B.移动加热法
C.垂直布里奇曼法
D.液封提拉法

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热门 试题

单项选择题
‏对于II-VI族半导体描述错误的是()。

A.有毒
B.直接带隙半导体
C.有闪锌矿和纤锌矿两种结构
D.禁带宽度随着原子序数的增加而增加

单项选择题
​以下对于GaN描述错误的是()。

A.可以制备成高频和大功率器件
B.是宽禁带半导体,可以生长在SiC上
C.高载流子迁移率
D.霍尔迁移率随着温度的增加而增加

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