单项选择题

‏对于II-VI族半导体描述错误的是（）。

A.有毒
B.直接带隙半导体
C.有闪锌矿和纤锌矿两种结构
D.禁带宽度随着原子序数的增加而增加

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单项选择题
​以下对于GaN描述错误的是（）。

A.可以制备成高频和大功率器件
B.是宽禁带半导体，可以生长在SiC上
C.高载流子迁移率
D.霍尔迁移率随着温度的增加而增加
单项选择题
‍以下对于液态密封法生长GaAs描述错误的是（）。

A.化学计量可以得到很好的控制
B.可以生长大直径的晶体
C.液态密封法不能掺Si，因为会导致B的沾污
D.一般采用B2O3液封
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