已知某N沟道增强型MOS场效应管的。下表给出了四种状态下和的值，那么各状态下器件的工作状态为（）。

‌已知某NMOS器件的Vt=1V，k′n（W L）=1mA V2，VA=50V，且工作点电流ID=0.5mA，则其小信号模型参数gm=（）mA V，ro=（）kΩ。

A.1，100
B.0.5，50
C.1，50
D.2，100

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电路如图所示，要使得晶体管工作在饱和区，且有ID=0.4mA，VD=0.5V；已知该NMOS晶体管的Vt=0.7V，L=1µm，W=32µm，k′n=100μA V2，忽略沟道长度调制效应，则电阻RS=（）kΩ，RD=（）kΩ。

A.5，3.25
B.4，6
C.3，7
D.3.25，5

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