‌已知某NMOS器件的V_t=1V，k′_n（W/L）=1mA/V²，V_A=50V，且工作点电流I_D=0.5mA，则其小信号模型参数g_m=（）mA/V，r_o=（）kΩ。

电路如图所示，要使得晶体管工作在饱和区，且有ID=0.4mA，VD=0.5V；已知该NMOS晶体管的Vt=0.7V，L=1µm，W=32µm，k′n=100μA V2，忽略沟道长度调制效应，则电阻RS=（）kΩ，RD=（）kΩ。

A.5，3.25
B.4，6
C.3，7
D.3.25，5

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‌在CMOS集成电路设计中，NMOS的衬底应接在电路的（）电位，PMOS的衬底应接在电路的（）电位。

A.最高，最高
B.最高，最低
C.最低，最高
D.最低，最低

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