DRAM的“存储单元”中，存在字线和位线，这两种线的交叉处要配置有（）。

干法刻蚀是（）。

A.为平行平板反应离子刻蚀
B.被刻蚀材料与光刻胶刻蚀速率比尽量小些好
C.存在缺陷和污染等物理损伤，要采取措施处理
D.要用到刻蚀液

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制作IC过程中掺杂使用什么方法实现的？（）

A.热扩散法
B.离子注入法
C.热氧化法
D.真空蒸镀

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