多项选择题

干法刻蚀是（）。

A.为平行平板反应离子刻蚀
B.被刻蚀材料与光刻胶刻蚀速率比尽量小些好
C.存在缺陷和污染等物理损伤，要采取措施处理
D.要用到刻蚀液

<上一题目录下一题>

热门试题

多项选择题

制作IC过程中掺杂使用什么方法实现的？（）

A.热扩散法
B.离子注入法
C.热氧化法
D.真空蒸镀

多项选择题

制作IC过程中一般要掺杂何种杂质？（）

A.磷
B.硼
C.硅
D.氮

相关试题