逻辑LSI电路使用到了下列哪些薄膜？（）

DRAM的“存储单元”中，存在字线和位线，这两种线的交叉处要配置有（）。

A.电阻
B.电感
C.电容
D.三极管
E.二极管

点击查看答案&解析

干法刻蚀是（）。

A.为平行平板反应离子刻蚀
B.被刻蚀材料与光刻胶刻蚀速率比尽量小些好
C.存在缺陷和污染等物理损伤，要采取措施处理
D.要用到刻蚀液

点击查看答案&解析