单项选择题

（）不利于增加增强型NMOSFET的阈值电压。

A.Wm< Ws
B.向沟道区掺入B
C.衬源间施加负偏压
D.增加SiO2层的厚度

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单项选择题
理想MIS（p型半导体衬底）结构中，高频C-V特性在强反型区与低频C-V特性不同的原因是高频条件下（）。

A.半导体表面附近的空穴数量变化跟不上信号变化
B.半导体表面附近的电子数量变化跟不上信号变化
C.半导体发生了深耗尽
D.半导体表面附近的电子不能产生
单项选择题
降低基区掺杂浓度，（）。

A.不利于抑制发射极电流集边效应，有利于抑制Early效应
B.有利于抑制发射极电流集边效应和Early效应
C.不利于抑制发射极电流集边效应和Early效应
D.有利于抑制发射极电流集边效应，不利于抑制Early效应
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