多项选择题
A.纯硅的费米能级位于带隙正中央B.掺杂了铝的硅的费米能级靠近价带C.掺杂了锗的硅的费米能级靠近导带D.施主型半导体的费米能级靠近价带
A.电子浓度增大B.硅的带隙中出现了施主能级C.少子数量增大D.施主型载流子浓度就是多子浓度
A.它表明能量为E的状态被占据的几率B.取值范围为0%~100%C.根据这个函数,温度越高,导带能级被占据的几率越小D.费米能级被占据的几率是50%