决定本征硅的载流子浓度的因素有（）。

关于费米能级的说法中，正确的有（）。

A.纯硅的费米能级位于带隙正中央
B.掺杂了铝的硅的费米能级靠近价带
C.掺杂了锗的硅的费米能级靠近导带
D.施主型半导体的费米能级靠近价带

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对于纯硅而言，进行施主型掺杂以后（）。

A.电子浓度增大
B.硅的带隙中出现了施主能级
C.少子数量增大
D.施主型载流子浓度就是多子浓度

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