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简答题 为什么不同的半导体材料制成集成电路其最高工作温度各不相同?
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在忽略界面态影响的情况下,可用什么实验方法测量MIS结构的绝缘层中可动电荷。
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用适当频率的方脉冲照射到某n型半导体样品,被样品内部均匀吸收并产生非平衡载流子,其产生率为gp,非平衡载流子的寿命为τp,光脉冲宽度Δt=3τp。 1)试写出在该脉冲光开始照射到结束以后,非平衡空穴所满足的方程式。 2)设t=0的瞬间,脉冲光开始照射,试求脉冲光开始照射到结束后的整个时间内,非平衡空穴随时间变化的规律。 3)在用直流光电导衰减法测量非平衡载流子寿命的实验中,在示波器上观察的是哪段曲线?所谓的寿命是指曲线上的哪段时间?由此如何定义非平衡载流子的寿命?
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