计算题

用适当频率的方脉冲照射到某n型半导体样品，被样品内部均匀吸收并产生非平衡载流子，其产生率为g_p，非平衡载流子的寿命为τ_p，光脉冲宽度Δt=3τ_p。
1）试写出在该脉冲光开始照射到结束以后，非平衡空穴所满足的方程式。
2）设t=0的瞬间，脉冲光开始照射，试求脉冲光开始照射到结束后的整个时间内，非平衡空穴随时间变化的规律。
3）在用直流光电导衰减法测量非平衡载流子寿命的实验中，在示波器上观察的是哪段曲线？所谓的寿命是指曲线上的哪段时间？由此如何定义非平衡载流子的寿命？

设晶格常数为a的一维晶格，导带极小值附近能量Ec（k）和价带极大值附近能量Ev（k）分别为： 试求： 1）禁带宽度； 2）导带底电子有效质量； 3）价带顶电子有效质量； 4）价带顶电子跃迁到导带底时准动量的变化。 点击查看答案

温度为300K时本征硅的电子浓度1.5×1010cm-3，电子和空穴迁移率分别为1350cm2 V·S和500cm2 V·S。 1）计算硅的本征电导率。 2）硅的原子密度为5.00×1022 cm3。当掺入百万分之一的As后，设杂质全部电离，试计算其电导率。比本征硅的电导率增大了多少倍？ 3）若该样品所加的电场强度为1.34V cm，试求流过该样品的电流密度是多少？ 点击查看答案