当温度升高时，MOS管的漏极饱和电流将（），亚阈值漏电流将（）。

亚阈值电流的大小和晶体管的过驱动电压VGS-VT成（）关系。

A.指数
B.平方
C.线性

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下列参数变化会引起NMOS晶体管阈值电压降低的是（）。

A.沟道长度L缩短
B.晶体管的VDS增大
C.源端电位升高（衬底接地）
D.增加衬底掺杂浓度

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