单项选择题

下列关于漏磁通的叙述,正确的是()

A.内部缺陷处的漏磁通比同样大小的表面缺陷漏磁通大
B.缺陷的漏磁通通常与试件上的磁场强度成反比
C.表面缺陷的漏磁通密度,随离开表面的距离增大而急剧下降
D.用有限线圈磁化长的工件,不需要进行分段磁化