单项选择题
A.与试件上总的磁通密度有关 B.与缺陷自身高度有关 C.磁化方向与缺陷垂直时漏磁通最大 D.以上都对
A.内部缺陷处的漏磁通比同样大小的表面缺陷漏磁通大 B.缺陷的漏磁通通常与试件上的磁场强度成反比 C.表面缺陷的漏磁通密度，随离开表面的距离增大而急剧下降 D.用有限线圈磁化长的工件，不需要进行分段磁化
A.纵向的表面和近表面缺陷 B.横向的表面和近表面缺陷 C.斜向的表面和近表面缺陷 D.以上都是