单项选择题

‌不会引起MOSFET衬底电流的效应是（）。

A.漏结雪崩击穿
B.漏源穿通
C.GIDL
D.沟道雪崩击穿

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热门 试题

单项选择题
在理想MIS结构（n型半导体）开启电压VT的计算中，没有考虑强反型少子（即空穴）电荷的原因是（）。

A.反型空穴的浓度低于Nd
B.反型空穴与电子正好是电中性的
C.反型空穴总数太少
单项选择题
双极型晶体管中开关时间常数最大的通常是（）。

A.开启延迟时间
B.下降时间
C.储存时间
D.上升时间
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