单项选择题

光刻工艺是利用感光胶感光后抗腐蚀的特性在半导体晶片表面的掩膜层上的工艺（）

A.刻制图形
B.绘制图形
C.制作图形

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单项选择题
介质隔离是以绝缘性能良好的电介质作为“隔离墙”来实现电路中各元器件间彼此电绝缘的一种隔离方法。常用的电介质是（）层。

A.多晶硅
B.氮化硅
C.二氧化硅
单项选择题
二氧化硅在扩散时能对杂质起掩蔽作用进行（）扩散。

A.预
B.再
C.选择
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