多项选择题

P型半导体MIS结构中发生少子反型时，表面的导电类型与体材料的类型（）。在如图所示MIS结构的C-V特性图中，代表去强反型的（）。

A. 相同
B. 不同
C. 无关
D. AB段
E. CD段
F. DE段
G. EF和GH段

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单项选择题
导带底的电子是（）。

A. 带正电的有效质量为正的粒子
B. 带正电的有效质量为负的准粒子
C. 带负电的有效质量为正的粒子
D. 带负电的有效质量为负的准粒子
多项选择题
电离后向半导体提供空穴的杂质是（），电离后向半导体提供电子的杂质是（）。

A. 受主杂质
B. 施主杂质
C. 中性杂质
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