单项选择题

为了避免尖楔现象用含1%硅的硅铝合金制备IC内电极，多采用下列哪种工艺方法（）

A.射频溅射
B.LPCVD
C.电阻蒸镀
D.PECVD

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单项选择题

poly-Si薄膜通常是采用什么方法制备的（）

A.PECVD
B.LPCVD
C.APCVD
D.LCVD

单项选择题

LPCVD-SiO2，将工艺控制在较高温度，有：ks>hg，此时淀积速率的特点为（）

A.反应剂气体浓度的变化对淀积速率的影响不大
B.温度的较小变化都会对淀积速率有较大影响
C.淀积速率受气相质量输运控制
D.淀积速率受表面化学反应控制

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