单项选择题

在外消旋体中加入少量纯对映体晶体,熔点下降者为()

A.外消旋混合物
B.外消旋化合物
C.固体溶液
D.拆分剂

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热门 试题

单项选择题
在外消旋体中加入少量纯对映体晶体,熔点上升者为()

A.拆分剂
B.固体溶液
C.外消旋化合物
D.外消旋混合物

单项选择题
手性源法是将()的底物,通过化学修饰的方法,得到新的手性产物的方法。

A.前手性结构
B.非手性结构
C.手性结构
D.消旋化

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