单项选择题
在外消旋体中加入少量纯对映体晶体,熔点上升者为()
A.拆分剂
B.固体溶液
C.外消旋化合物
D.外消旋混合物
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试题
单项选择题
手性源法是将()的底物,通过化学修饰的方法,得到新的手性产物的方法。
A.前手性结构
B.非手性结构
C.手性结构
D.消旋化
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多项选择题
工艺过程控制方法应具有技术难度低,方法可操作性强的特点,同时满足如下要求()
A.适用范围广
B.实时监控
C.数据准确可靠
D.仪器成本高和操作成本低
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