单项选择题

‌以下抑制自掺杂的方法不正确的是（）。

A.采用低温外延技术
B.采用背封技术，如生长二氧化硅或者多晶硅
C.采用含卤原子的硅源
D.外延生长前高温加热沉底，表面形成耗尽层

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单项选择题
‏以下对于直拉硅晶体中的碳杂质描述错误的是（）。

A.会促进氧沉淀的形成
B.在机械性质上对硅晶体有益
C.在现在的制造技术中浓度一般小于1016每立方厘米
D.一般处于替位态
单项选择题
​以下对于直拉硅晶体中的氧杂质描述错误的是（）。

A.过饱和会形成氧沉淀，影响硅晶体的电学性质
B.主要来源于坩埚的污染
C.是直拉硅中浓度最高的杂质
D.对于硅晶体而言完全是有害杂质，需要去除
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